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朱
朱志杰
朱志杰：随着新能源汽车向800伏甚至1000伏高压平台发展，充电速度显著提升，但这也对模拟芯片的驱动与控制技术提出了新的挑战。碳化硅器件的快速开关特性导致高dv/dt，产生干扰，因此芯片的抗干扰能力至关重要，需要达到150千伏/微秒以上的CMTI指标。同时，为了有效驱动碳化硅器件，芯片需要具备强大的驱动能力，以实现快速开通和关断，从而降低开关损耗。此外，面对汽车电子产品小型化和高功率密度的趋势，芯片需要在更小的体积内实现更高的性能，并在宽温度范围内保持稳定运行。客户还期望芯片集成更多功能，减少外围器件，在保证安全的前提下提升性能。
Deep Dive
本节探讨了新能源汽车800伏高压平台普及趋势下，对模拟芯片驱动与控制技术提出的挑战，例如抗干扰能力、驱动能力、体积小型化以及集成度等。同时，还分析了传统消费电子市场在2025年的复苏情况及长期发展趋势。
- 新能源汽车800伏高压平台普及，对模拟芯片提出挑战
- 高压、高速带来的干扰问题，CMTI指标要求提升
- 体积小型化、功率密度提升的需求
- 消费电子市场短期复苏，长期创新乏力
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